品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaAs HEMT 漏源电压(V)|9 闸源击穿电压(V)|-6 漏极连续电流(mA)|650 频率|1.8 GHz 增益(dB)|14.5 功率耗散(mW)|900 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|MW-6 封装|Reel
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品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaAs HEMT 漏源电压(V)|9 闸源击穿电压(V)|-6 漏极连续电流(mA)|650 频率|1.8 GHz 增益(dB)|14.5 功率耗散(mW)|900 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|MW-6 封装|Reel
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