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供应产品 > 射频卡排序： 新发布在前 新发布在后 价格降序 价格升序
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CEL 射频JFET晶体管,F3NE3210S01   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE3210S01
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs pHEMT 正向跨导-最小值|55 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|70 频率|12 GHz 增益(dB)|13.5 功率耗散(mW)|165 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|SO-1 ..
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TriQuint Semiconductor 射频JFET晶体管,F3CLY2   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：CLY2
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaAs HEMT 漏源电压(V)|9 闸源击穿电压(V)|-6 漏极连续电流(mA）|650 频率|1.8 GHz 增益(dB)|14.5 功率耗散(mW)|900 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|MW-6 ..
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CEL 射频JFET晶体管,F3NE3512S02-T1D-A   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE3512S02-T1D-A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs HEMT 正向跨导-最小值|55 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|70 频率|12 GHz 增益(dB)|13.5 功率耗散(mW)|165 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|S0-2 ..
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CEL 射频JFET晶体管,F3NE552R479A-T1-A   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE552R479A-T1-A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs 晶体管极性|N-Channel 正向跨导-最小值|0.4 S 闸源击穿电压(V)|2 漏极连续电流(mA）|230 频率|2.45 GHz 增益(dB)|11 功率耗散(mW)|3*10^3 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|7..
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CEL 射频JFET晶体管,F3NE3515S02-T1D-A   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE3515S02-T1D-A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs HEMT 正向跨导-最小值|70 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|88 频率|12 GHz 增益(dB)|12.5 功率耗散(mW)|165 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|S0-2 ..
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Central Semiconductor 射频JFET晶体管,F32N5952   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：2N5952
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Central Semiconductor 类型|Silicon 晶体管极性|N-Channel 闸源击穿电压(V)|30 最大漏极栅极电压(V)|30 最大工作温度(C)|150 安装风格|Through Hole 封装箱体|TO-92 封装|Bulk
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CEL 射频JFET晶体管,F3NE3514S02-T1D-A   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE3514S02-T1D-A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs HEMT 正向跨导-最小值|55 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|70 频率|20 GHz 增益(dB)|10 功率耗散(mW)|165 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|S0-2 封..
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CEL 射频JFET晶体管,F3NE4210S01   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE4210S01
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs HEMT 正向跨导-最小值|55 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|70 频率|12 GHz 增益(dB)|13 功率耗散(mW)|165 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|S0-1 封..
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CEL 射频JFET晶体管,F3NE4503S01-T1-A   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE4503S01-T1-A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs 封装|Tape
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CEL 射频JFET晶体管,F3NE3210S01-T1B   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE3210S01-T1B
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs pHEMT 正向跨导-最小值|55 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|70 频率|12 GHz 增益(dB)|13.5 功率耗散(mW)|165 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|SO-1 ..
0.00元/个
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CEL 射频JFET晶体管,F3NE3517S03-T1D-A   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE3517S03-T1D-A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs HEMT 正向跨导-最小值|55 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|70 频率|20 GHz 增益(dB)|13.5 功率耗散(mW)|165 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|S0-3 ..
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1个起订

CEL 射频JFET晶体管,F3NE3508M04-T2-A   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE3508M04-T2-A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs HEMT 晶体管极性|N-Channel 正向跨导-最小值|100 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|120 频率|2 GHz 增益(dB)|14 功率耗散(mW)|175 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/..
0.00元/个
1个起订

CEL 射频JFET晶体管,F3NE4503S01-A   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE4503S01-A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs 封装|Bulk
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CEL 射频JFET晶体管,F3NE4210S01-T1B   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE4210S01-T1B
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs HEMT 正向跨导-最小值|55 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|70 频率|12 GHz 增益(dB)|13 功率耗散(mW)|165 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|S0-1 封..
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CEL 射频JFET晶体管,F3NE3503M04-T2-A   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NE3503M04-T2-A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs HEMT 正向跨导-最小值|55 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|70 频率|12 GHz 增益(dB)|12 功率耗散(mW)|125 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|FTSMM-4 ..
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