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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:NE552R479A-T1-A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs 晶体管极性|N-Channel 正向跨导-最小值|0.4 S 闸源击穿电压(V)|2 漏极连续电流(mA)|230 频率|2.45 GHz 增益(dB)|11 功率耗散(mW)|3*10^3 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|7..
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:NE3512S02-T1D-A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs HEMT 正向跨导-最小值|55 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA)|70 频率|12 GHz 增益(dB)|13.5 功率耗散(mW)|165 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|S0-2 ..
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:CLY2
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaAs HEMT 漏源电压(V)|9 闸源击穿电压(V)|-6 漏极连续电流(mA)|650 频率|1.8 GHz 增益(dB)|14.5 功率耗散(mW)|900 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|MW-6 ..
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:NE3210S01
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|CEL 类型|GaAs pHEMT 正向跨导-最小值|55 mS 漏源电压(V)|4 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA)|70 频率|12 GHz 增益(dB)|13.5 功率耗散(mW)|165 最大工作温度(C)|125 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|SO-1 ..
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:ATF-58143-TR2G
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs EpHEMT 正向跨导-最小值|410 mmho 漏源电压(V)|5 闸源击穿电压(V)|- 5 to 1 漏极连续电流(mA)|100 频率|2 GHz 增益(dB)|16.5 功率耗散(mW)|500 最大工作温度(C)|150 安装..
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:TGF2023-2-05
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaN SiC HEMT 封装|Waffle
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:TGF2023-02
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaN SiC HEMT 漏源电压(V)|40 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA)|750 频率|18 GHz 增益(dB)|15 功率耗散(mW)|10*10^3 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|D..
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:TGF2022-60
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaAs pHEMT 正向跨导-最小值|2.25 S 漏源电压(V)|12 闸源击穿电压(V)|-14 漏极连续电流(mA)|1.8*10^3 频率|18 GHz 增益(dB)|12 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装..
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:MAGX-001214-500L00
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|MACOM 类型|GaN SiC HEMT 封装|Bulk
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:TGF2023-2-02
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaN SiC HEMT 封装|Waffle
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:TGF2022-48
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaAs pHEMT 正向跨导-最小值|1.8 S 漏源电压(V)|12 闸源击穿电压(V)|-14 漏极连续电流(mA)|1.4*10^3 频率|18 GHz 增益(dB)|8 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱..
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:ATF-511P8-TR2
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs EpHEMT 正向跨导-最小值|2178 mmho 漏源电压(V)|7 闸源击穿电压(V)|- 5 to 1 最大漏极栅极电压(V)|- 5 to + 1 漏极连续电流(mA)|1*10^3 频率|2 GHz 增益(dB)|14.8 功率..
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:TGF2023-2-01
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaN SiC HEMT 封装|Waffle
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:TGF2022-24
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaAs pHEMT 正向跨导-最小值|900 mS 漏源电压(V)|12 闸源击穿电压(V)|-14 漏极连续电流(mA)|720 频率|18 GHz 增益(dB)|8 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|D..
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商家:如皋丝音贸易有限公司 型号:BSR58,215
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|NXP Semiconductors 类型|Silicon 晶体管极性|N-Channel 漏源电压(V)|40 闸源击穿电压(V)|40 最大漏极栅极电压(V)|40 功率耗散(mW)|250 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|SOT-23 封装|Reel
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