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供应产品 > RF模块排序： 新发布在前 新发布在后 价格降序 价格升序
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Infineon Technologies IGBT 模块，BSM15GP120   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：BSM15GP120
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 配置|Hex 集电极发射极最大电压（V）|1200 集电极射极饱和电压(V)|2.2 在25C的连续集电极电流（A）|35 栅极-射极漏泄电流|300 nA 功率耗散(W)|180 最大工作温度(℃)|125 封装箱体|Eco..
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Infineon Technologies IGBT 模块，DF600R12IP4D   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：DF600R12IP4D
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies
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Infineon Technologies IGBT 模块，FF650R17IE4D_B2   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FF650R17IE4D_B2
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies
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Infineon Technologies IGBT 模块，FZ2400R12KL4C   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FZ2400R12KL4C
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 配置|Triple Common Emitter Common Gate 集电极发射极最大电压（V）|1200 集电极射极饱和电压(V)|2.1 在25C的连续集电极电流（A）|3700 栅极-射极漏泄电流|600 nA 功率耗散(W)|14.8*..
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Infineon Technologies IGBT 模块，FD600R17KF6C_B2   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FD600R17KF6C_B2
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 配置|Single 集电极发射极最大电压（V）|1700 集电极射极饱和电压(V)|2.6 在25C的连续集电极电流（A）|975 栅极-射极漏泄电流|400 nA 功率耗散(W)|4.8*10^3 最大工作温度(℃)|125 封..
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Infineon Technologies IGBT 模块，FZ2400R12HP4_B9   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FZ2400R12HP4_B9
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies
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Infineon Technologies IGBT 模块，FS35R12KT3   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FS35R12KT3
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 配置|Hex 集电极发射极最大电压（V）|1200 在25C的连续集电极电流（A）|55 最大工作温度(℃)|125 封装箱体|Econo 2
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Infineon Technologies IGBT 模块，FZ1800R12HE4_B9   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FZ1800R12HE4_B9
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies
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Infineon Technologies IGBT 模块，FZ30R07W1E3_B31A   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FZ30R07W1E3_B31A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 配置|Single 集电极发射极最大电压（V）|650 集电极射极饱和电压(V)|1.8 在25C的连续集电极电流（A）|45 栅极-射极漏泄电流|400 nA 功率耗散(W)|150 最大工作温度(℃)|150 封装箱体|E..
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Infineon Technologies IGBT 模块，BSM20GP60   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：BSM20GP60
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 配置|Hex 集电极发射极最大电压（V）|600 集电极射极饱和电压(V)|1.95 在25C的连续集电极电流（A）|35 栅极-射极漏泄电流|300 nA 功率耗散(W)|130 最大工作温度(℃)|125 封装箱体|Eco..
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1个起订

Infineon Technologies IGBT 模块，FS200R07A1E3   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FS200R07A1E3
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 配置|3-Phase 集电极发射极最大电压（V）|650 集电极射极饱和电压(V)|1.7 在25C的连续集电极电流（A）|250 栅极-射极漏泄电流|400 nA 功率耗散(W)|790 最大工作温度(℃)|150 封装箱体..
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Infineon Technologies IGBT 模块，F4-100R06KL4   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：F4-100R06KL4
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 配置|Quad 集电极发射极最大电压（V）|600 集电极射极饱和电压(V)|1.95 在25C的连续集电极电流（A）|130 栅极-射极漏泄电流|400 nA 功率耗散(W)|430 最大工作温度(℃)|125 封装箱体|E..
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Infineon Technologies IGBT 模块，FZ300R12KE3G   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FZ300R12KE3G
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 配置|Single 集电极发射极最大电压（V）|1200 集电极射极饱和电压(V)|1.7 在25C的连续集电极电流（A）|480 栅极-射极漏泄电流|400 nA 功率耗散(W)|1450 最大工作温度(℃)|125 封装箱..
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Infineon Technologies IGBT 模块，BSM300GA170DLC   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：BSM300GA170DLC
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 配置|Single Dual Emitter 集电极发射极最大电压（V）|1700 在25C的连续集电极电流（A）|600 最大工作温度(℃)|125 封装箱体|62 mm
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Infineon Technologies IGBT 模块，4PS03012S43G30699   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：4PS03012S43G30699
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies
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