品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaN SiC HEMT 漏源电压(V)|40 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA)|750 频率|18 GHz 增益(dB)|15 功率耗散(mW)|10*10^3 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|Die 3
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品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaN SiC HEMT 漏源电压(V)|40 闸源击穿电压(V)|-3 漏极连续电流(mA)|750 频率|18 GHz 增益(dB)|15 功率耗散(mW)|10*10^3 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|Die 3
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