nddnvjfd@hotmail.com品牌|Cree Inc 晶体管极性|N-Channel 汲极-源极击穿电压（V）|1200 闸-源击穿电压（V）|- 10, + 25 漏极连续电流(A)|17.7 漏源导通电阻|160 mOhms 配置|Single 最大工作温度(℃)|150 安装风格|Through Hole 封装箱体|TO-247-3 封装|Tube
MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
产品参数：
MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
