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供应产品 > 半导体材料排序： 新发布在前 新发布在后 价格降序 价格升序
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Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管，FGA20N120FTDTU   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FGA20N120FTDTU
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Fairchild Semiconductor 配置|Single 集电极发射极最大电压（V）|1200 栅极发射极最大电压（V）|+/- 25 最大工作温度(℃)|150 封装箱体|TO-3PN-3 封装|Tube
0.00元/个
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ON Semiconductor IGBT 晶体管，NGD8201ANT4G   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：NGD8201ANT4G
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|ON Semiconductor 配置|Single 集电极发射极最大电压（V）|440 集电极射极饱和电压(V)|1.5 栅极发射极最大电压（V）|15 在25C的连续集电极电流（A）|20 栅极-射极漏泄电流|300 uA 功率耗散(W)|125 最大工作..
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STMicroelectronics IGBT 晶体管，STGF20NB60S   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：STGF20NB60S
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|STMicroelectronics 配置|Single 集电极发射极最大电压（V）|600 栅极发射极最大电压（V）|+/- 20 最大工作温度(℃)|150 封装箱体|TO-220FP-3 封装|Tube
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Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管，FSAM20SH60A   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FSAM20SH60A
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Fairchild Semiconductor 集电极发射极最大电压（V）|600 集电极射极饱和电压(V)|2.5 在25C的连续集电极电流（A）|20 栅极-射极漏泄电流|59 W 功率耗散(W)|59 封装箱体|SPM32-AA 封装|Tube
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IXYS IGBT 晶体管，IXGH17N100   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：IXGH17N100
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|IXYS 配置|Single 集电极发射极最大电压（V）|1000 栅极发射极最大电压（V）|+/- 20 最大工作温度(℃)|150 封装箱体|TO-247AD-3 封装|Tube
0.00元/个
1个起订

IXYS 分立半导体模块，MCC44-16io8B   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：MCC44-16io8B
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|IXYS 类型|Thyristor / Thyristor Modules 安装风格|Screw 封装箱体|TO-240 AA 封装|Bulk
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Infineon Technologies 分立半导体模块，TZ425N12KOF   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：TZ425N12KOF
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 类型|Rectifier Diode Modules 安装风格|Screw 封装箱体|TZ425
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Vishay Semiconductors 分立半导体模块，VS-VSKCS208/060   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：VS-VSKCS208/060
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Vishay Semiconductors 封装|Bulk
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Infineon Technologies 分立半导体模块，TT425N12KOF   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：TT425N12KOF
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Infineon Technologies 类型|Rectifier Diode Module
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Crydom 分立半导体模块，F1827SDK1400   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：F1827SDK1400
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Crydom
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NXP Semiconductors MOSFET，PMF370XN,115   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：PMF370XN,115
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|NXP Semiconductors 晶体管极性|N-Channel 汲极-源极击穿电压（V）|30 闸-源击穿电压（V）|12 漏极连续电流(A)|0.87 配置|Single 最大工作温度(℃)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|SOT-323 封装|ReelMOSFE..
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Supertex MOSFET，VP0106N3-G P013   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：VP0106N3-G P013
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Supertex 封装|ReelMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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International Rectifier MOSFET，IRF7241TRPBF   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：IRF7241TRPBF
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|International Rectifier 晶体管极性|P-Channel 汲极-源极击穿电压（V）|- 40 闸-源击穿电压（V）|20 漏极连续电流(A)|- 6.2 漏源导通电阻|70 mOhms 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|SOIC-8 封装|Reel至多对比..
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Cree Inc MOSFET，C2M0160120D   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：C2M0160120D
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Cree Inc 晶体管极性|N-Channel 汲极-源极击穿电压（V）|1200 闸-源击穿电压（V）|- 10, + 25 漏极连续电流(A)|17.7 漏源导通电阻|160 mOhms 配置|Single 最大工作温度(℃)|150 安装风格|Through Hole 封装..
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STMicroelectronics MOSFET，STL7DN6LF3   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：STL7DN6LF3
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|STMicroelectronics 晶体管极性|N-Channel 汲极-源极击穿电压（V）|60 漏极连续电流(A)|20 漏源导通电阻|43 mOhms 配置|Dual 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|PowerFLAT 5x6 封装|ReelMOSFET Dual N-Ch 60V 35..
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