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供应产品 > 射频卡排序： 新发布在前 新发布在后 价格降序 价格升序
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3ATF-531P8-TR2   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：ATF-531P8-TR2
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs EpHEMT 正向跨导-最小值|650 mmho 漏源电压(V)|7 闸源击穿电压(V)|- 5 to 1 漏极连续电流(mA）|300 频率|2 GHz 增益(dB)|20 功率耗散(mW)|1*10^3 最大工作温度(C)|150 安..
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MACOM 射频JFET晶体管,F3MAGX-002731-030L00   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：MAGX-002731-030L00
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|MACOM 类型|GaAs HEMT 正向跨导-最小值|1 S 漏源电压(V)|175 闸源击穿电压(V)|-8 漏极连续电流(mA）|1.5*10^3 频率|2.7 GHz to 3.1 GHz 增益(dB)|11.4 功率耗散(mW)|27*10^3 最大工作温度(C)|95 安装风格|..
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3ATF-38143-TR1G   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：ATF-38143-TR1G
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs pHEMT 晶体管极性|N-Channel 正向跨导-最小值|230 mmho 漏源电压(V)|4.5 闸源击穿电压(V)|-4 漏极连续电流(mA）|145 频率|2 GHz 增益(dB)|16 功率耗散(mW)|580 最大工作温度(..
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3ATF-501P8-TR1   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：ATF-501P8-TR1
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs EpHEMT 正向跨导-最小值|1872 mmho 漏源电压(V)|7 闸源击穿电压(V)|- 5 to 0.8 最大漏极栅极电压(V)|- 5 to + 1 漏极连续电流(mA）|1*10^3 频率|2 GHz 增益(dB)|15 功率..
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MACOM 射频JFET晶体管,F3MAGX-001214-125L00   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：MAGX-001214-125L00
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|MACOM 类型|GaN SiC HEMT 正向跨导-最小值|2.5 S 漏源电压(V)|175 闸源击穿电压(V)|-8 漏极连续电流(mA）|3.9*10^3 频率|1.2 GHz to 1.4 GHz 增益(dB)|18.4 最大工作温度(C)|95 安装风格|SMD/SMT 封装箱..
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NXP Semiconductors 射频JFET晶体管,F3J111,126   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：J111,126
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|NXP Semiconductors 类型|Silicon 晶体管极性|N-Channel 漏源电压(V)|40 闸源击穿电压(V)|40 功率耗散(mW)|400 安装风格|Through Hole 封装箱体|TO-92 封装|Ammo
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TriQuint Semiconductor 射频JFET晶体管,F3T1G6001032-SM   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：T1G6001032-SM
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaN SiC HEMT 漏源电压(V)|32 最大漏极栅极电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|1.2*10^3 频率|3. GHz 增益(dB)|19 功率耗散(mW)|16*10^3 安装风格|SMD/SMT 封装|Tray
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3MGA-631P8-TR1G   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：MGA-631P8-TR1G
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs pHEMT 漏源电压(V)|5.5 漏极连续电流(mA）|54 频率|400 MHz to 1.5 GHz 增益(dB)|17.5 功率耗散(mW)|550 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|TSLP-8 封装|Reel
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3ATF-511P8-BLK   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：ATF-511P8-BLK
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs EpHEMT 正向跨导-最小值|2178 mmho 漏源电压(V)|7 闸源击穿电压(V)|- 5 to 1 最大漏极栅极电压(V)|- 5 to + 1 漏极连续电流(mA）|1*10^3 频率|2 GHz 增益(dB)|14.8 功率..
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MACOM 射频JFET晶体管,F3MAGX-003135-180L00   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：MAGX-003135-180L00
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|MACOM 类型|GaAs HEMT 正向跨导-最小值|5 S 漏源电压(V)|175 闸源击穿电压(V)|-8 频率|3.1 GHz to 3.5 GHz 增益(dB)|11.4 最大工作温度(C)|95 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|Cu/Mo/Cu flanged ceramic 封装..
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TriQuint Semiconductor 射频JFET晶体管,F3TGF2021-04   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：TGF2021-04
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaAs pHEMT 正向跨导-最小值|1.5 S 漏源电压(V)|12 闸源击穿电压(V)|-14 漏极连续电流(mA）|1.2*10^3 频率|12 GHz 增益(dB)|11 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装..
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NXP Semiconductors 射频JFET晶体管,F3J174,126   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：J174,126
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|NXP Semiconductors 类型|Silicon 晶体管极性|P-Channel 漏源电压(V)|30 闸源击穿电压(V)|30 最大漏极栅极电压(V)|30 功率耗散(mW)|300 最大工作温度(C)|150 安装风格|Through Hole 封装箱体|TO-92 封装..
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Freescale Semiconductor 射频JFET晶体管,F3MMA20312BVT1   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：MMA20312BVT1
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Freescale Semiconductor 类型|GaAs InGaP HBT 漏源电压(V)|6 漏极连续电流(mA）|70 频率|1.8 GHz to 2.2 GHz 增益(dB)|26.4 最大工作温度(C)|150 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|Case 2131-01 ( QFN-12) ..
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3ATF-521P8-TR2   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：ATF-521P8-TR2
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs EpHEMT 正向跨导-最小值|1300 mmho 漏源电压(V)|7 闸源击穿电压(V)|- 5 to 1 漏极连续电流(mA）|500 频率|2 GHz 增益(dB)|17 功率耗散(mW)|1.5*10^3 最大工作温度(C)|150 ..
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MACOM 射频JFET晶体管,F3MAGX-003135-120L00   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：MAGX-003135-120L00
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|MACOM 类型|GaAs HEMT 正向跨导-最小值|3.3 S 漏源电压(V)|175 闸源击穿电压(V)|-8 频率|3.1 GHz to 3.5 GHz 增益(dB)|11.8 最大工作温度(C)|95 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|Cu/Mo/Cu flanged ceramic 封..
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