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供应产品 > 射频卡排序： 新发布在前 新发布在后 价格降序 价格升序
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TriQuint Semiconductor 射频JFET晶体管,F3T1G4012036-FL   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：T1G4012036-FL
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaN SiC HEMT 漏源电压(V)|36 最大漏极栅极电压(V)|-3 漏极连续电流(mA）|12*10^3 频率|3.3 GHz 增益(dB)|18.4 功率耗散(mW)|117*10^3 安装风格|SMD/SMT 封装|Tray
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3ATF-54143-TR2G   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：ATF-54143-TR2G
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs EpHEMT 晶体管极性|N-Channel 正向跨导-最小值|410 mmho 漏源电压(V)|5 闸源击穿电压(V)|- 5 to 1 漏极连续电流(mA）|120 频率|2 GHz 增益(dB)|16.6 功率耗散(mW)|725 最大..
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MACOM 射频JFET晶体管,F3MAAM-009455-TR3000   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：MAAM-009455-TR3000
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|MACOM 类型|GaAs MESFET 漏源电压(V)|8 漏极连续电流(mA）|375 频率|1 GHz 增益(dB)|20.5 最大工作温度(C)|85 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|PQFN-20 封装|Reel
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3ATF-331M4-TR2   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：ATF-331M4-TR2
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs pHEMT 晶体管极性|N-Channel 正向跨导-最小值|440 mmho 漏源电压(V)|5.5 闸源击穿电压(V)|-5 最大漏极栅极电压(V)|-5 漏极连续电流(mA）|305 频率|2 GHz 增益(dB)|15 功率耗散..
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3ATF-521P8-TR1   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：ATF-521P8-TR1
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs EpHEMT 正向跨导-最小值|1300 mmho 漏源电压(V)|7 闸源击穿电压(V)|- 5 to 1 漏极连续电流(mA）|500 频率|2 GHz 增益(dB)|17 功率耗散(mW)|1.5*10^3 最大工作温度(C)|150 ..
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3ATF-331M4-TR1   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：ATF-331M4-TR1
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs pHEMT 晶体管极性|N-Channel 正向跨导-最小值|440 mmho 漏源电压(V)|5.5 闸源击穿电压(V)|-5 最大漏极栅极电压(V)|-5 漏极连续电流(mA）|305 频率|2 GHz 增益(dB)|15 功率耗散..
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NXP Semiconductors 射频JFET晶体管,F3BF862,235   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：BF862,235
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|NXP Semiconductors 类型|Silicon 晶体管极性|N-Channel 漏源电压(V)|20 闸源击穿电压(V)|20 功率耗散(mW)|300 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|SOT-23 封装|Reel
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3ATF-331M4-BLK   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：ATF-331M4-BLK
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs pHEMT 晶体管极性|N-Channel 正向跨导-最小值|440 mmho 漏源电压(V)|5.5 闸源击穿电压(V)|-5 最大漏极栅极电压(V)|-5 漏极连续电流(mA）|305 频率|2 GHz 增益(dB)|15 功率耗散..
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NXP Semiconductors 射频JFET晶体管,F3BF861B,235   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：BF861B,235
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|NXP Semiconductors 类型|Silicon 晶体管极性|N-Channel 漏源电压(V)|25 闸源击穿电压(V)|25 功率耗散(mW)|250 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|SOT-23 封装|Reel
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Avago Technologies 射频JFET晶体管,F3ATF-33143-TR2G   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：ATF-33143-TR2G
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Avago Technologies 类型|GaAs pHEMT 晶体管极性|N-Channel 正向跨导-最小值|440 mmho 漏源电压(V)|5.5 闸源击穿电压(V)|-5 漏极连续电流(mA）|305 频率|2 GHz 增益(dB)|15 功率耗散(mW)|600 最大工作温度(..
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NXP Semiconductors 射频JFET晶体管,F3BF556A,235   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：BF556A,235
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|NXP Semiconductors 类型|Silicon 晶体管极性|N-Channel 漏源电压(V)|30 闸源击穿电压(V)|30 功率耗散(mW)|250 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|SOT-23 封装|Reel
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NXP Semiconductors 射频JFET晶体管,F3BF512,235   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：BF512,235
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|NXP Semiconductors 类型|Silicon 晶体管极性|N-Channel 漏源电压(V)|20 闸源击穿电压(V)|20 功率耗散(mW)|250 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|SOT-23 封装|Reel
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Freescale Semiconductor 射频JFET晶体管,F3MRFG35005ANT1   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：MRFG35005ANT1
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|Freescale Semiconductor 类型|GaAs pHEMT 漏源电压(V)|15 闸源击穿电压(V)|-5 漏极连续电流(mA）|1.7*10^3 频率|3.55 GHz 增益(dB)|11 最大工作温度(C)|85 安装风格|SMD/SMT 封装箱体|PLD-1.5 封装|Reel
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ON Semiconductor 射频JFET晶体管,F33SK263-5-TG-E   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：3SK263-5-TG-E
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|ON Semiconductor 类型|Silicon
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TriQuint Semiconductor 射频JFET晶体管,F3FH1-G   
商家：如皋丝音贸易有限公司 型号：FH1-G
北京市/朝阳区
[摘要] 品牌|TriQuint Semiconductor 类型|GaAs MESFET 正向跨导-最小值|120 mS 漏源电压(V)|5 闸源击穿电压(V)|-6 漏极连续电流(mA）|170 频率|50 MHz to 4 GHz 增益(dB)|18 最大工作温度(C)|85 安装风格|SMD/SMT 封..
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